[发明专利]掩膜版与焦点偏移的判断方法在审
申请号: | 201510179230.3 | 申请日: | 2015-04-15 |
公开(公告)号: | CN106154739A | 公开(公告)日: | 2016-11-23 |
发明(设计)人: | 邹永祥 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F1/42 | 分类号: | G03F1/42;G03F1/44 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 赵囡囡;梁文惠 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本申请提供了一种掩膜版与焦点偏移的判断方法。该掩膜版包括套刻标记,该套刻标记具有至少两个图形,且各图形平行或垂直,各图形具有至少三个相互平行的矩形,各矩形的宽度不相等,相邻两个矩形之间具有间距。上述掩膜版的图形中的矩形的宽度不相等,当将掩膜版的套刻标记转移到光刻胶上时,若焦点出现较小的偏移,光刻胶上的宽度较小的矩形出现桥接现象,光刻胶上的两个图形的中心点就会偏离初始掩膜版的套刻标记,从而可以判断焦点出现偏移;焦点偏移的程度增加,光刻胶上出现桥接的矩形的数目增加,测量得到中心点的偏移程度增加,所以利用本申请的掩膜版可以灵敏地、实时地判断焦点是否出现了偏移。 | ||
搜索关键词: | 掩膜版 焦点 偏移 判断 方法 | ||
【主权项】:
一种掩膜版,包括套刻标记,所述套刻标记具有至少两个图形,且各所述图形平行或垂直,其特征在于,各所述图形具有至少三个相互平行的矩形,各所述矩形的宽度不相等,相邻两个所述矩形之间具有间距。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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