[发明专利]量子点发光二极管结构及制造方法

摘要

一种量子点发光二极管结构包括基板；设置在基板上的阴极，和依次形成于阴极上的电子注入层、电子传输层；设置在基板上的阳极，和依次形成于阳极上的空穴注入层，空穴传输层；以及与电子传输层、空穴传输层相连接的量子发光层，电子传输层、空穴传输层分布在量子发光层同一侧。上述量子点发光二极管结构，大部分光可直接从量子发光层毫无阻挡地发射出来，避免了传统器件结构中各层对光造成不同程度的损耗，提高光亮度。

主权项

一种量子点发光二极管结构，其特征在于，包括：基板；设置在所述基板上的阴极，和依次形成于所述阴极上的电子注入层、电子传输层；设置在所述基板上的阳极，和依次形成于所述阳极上的空穴注入层，空穴传输层；以及与所述电子传输层、所述空穴传输层相连接的量子发光层，所述电子传输层、所述空穴传输层分布在所述量子发光层同一侧；在所述基板中分层挖设导电沟槽，所述阴极与阳极在所述基板中分层设置，通过通孔互连将底面的电极引至所述基板表面。