[发明专利]一种浅沟槽隔离结构的制备方法

摘要

本发明提供一种浅沟槽隔离结构的制备方法，在沟槽中形成线型氧化层之后，引入线型非晶硅层，来消耗后续的对所述隔离介质层进行水蒸汽退火步骤中产生的H₂O及其它含氧基团，进而阻止了形成的H₂O及其它含氧基团向半导体衬底中的扩散，且该线型非晶硅层在水蒸汽退火时，替代沟槽侧壁的半导体衬底而被消耗并完全转化为SiO₂，成为沟槽中隔离介质层的一部分，由此可以避免水蒸汽退火过程对沟槽侧壁的有源区边界的氧化，降低了沟槽侧壁半导体衬底材料的消耗，减少了有源区临界尺寸(AA CD)缩小，同时避免沟槽填充的隔离介质内部的空洞或缝隙缺陷。

主权项

一种浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底中形成沟槽；在所述沟槽的表面形成线型氧化层；在所述线型氧化层的表面形成线型非晶硅层；在所述沟槽中填充隔离介质层；对所述隔离介质层进行水蒸汽退火。