[发明专利]用于RC延迟改进的半导体器件蚀刻有效
| 申请号： | 201510180825.0 | 申请日： | 2015-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN105428307B | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 林志男;陈美玲;刘复淳 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 在用于制造半导体器件的蚀刻方法中，首先，提供包括接触区的半导体衬底。然后，在半导体衬底上形成金属氮化物层以防止过蚀刻。此后，在金属氮化物层上形成介电层。然后，实施蚀刻工艺以形成穿通金属氮化物层和介电层的开口以暴露接触区。蚀刻方法还可以包括在金属氮化物层和半导体衬底之间形成扩散阻挡层以防止接触区的材料的扩散。本发明涉及用于RC延迟改进的半导体器件蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 rc 延迟 改进 半导体器件 蚀刻 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻方法，包括：提供包括接触区的半导体衬底；在所述半导体衬底上形成金属氮化物层，所述金属氮化物层由GaN形成，其中，所述金属氮化物层的厚度在从5埃至15埃的范围内；在所述金属氮化物层上形成介电层；以及实施蚀刻工艺以形成穿通所述介电层和所述金属氮化物层的开口以暴露所述接触区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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