[发明专利]一种基于半导体工艺的平面型龙虾眼聚焦镜头的制备方法在审

专利信息
申请号: 201510181280.5 申请日: 2015-04-16
公开(公告)号: CN104900292A 公开(公告)日: 2015-09-09
发明(设计)人: 金东东;胡慧君;邵飞;史钰峰;李文彬;徐延庭 申请(专利权)人: 中国航天科技集团公司第五研究院第五一三研究所
主分类号: G21K1/06 分类号: G21K1/06
代理公司: 北京理工大学专利中心 11120 代理人: 高燕燕;仇蕾安
地址: 264003 山*** 国省代码: 山东;37
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种基于半导体工艺的平面型龙虾眼聚焦镜头的制备方法,包括如下步骤:首先将n型Si片抛光研,利用氧化工艺或气相沉积在Si片上表面形成硬掩膜,并硬掩膜上利用光刻胶工艺曝光形成具有方形微孔阵列的掩膜;然后利用掩膜上的方形微孔对Si片进行刻蚀,形成刻蚀诱导坑;然后,去除硬掩膜,并在Si片背面镀上一层金属电极层,该金属电极层连接电源的正极;接着在Si片正面一定距离处放置金属电极板并连接电源的负极,板与Si片正面之间具有电解液;开启电源,并在Si片背面加以光照进行光电化学刻蚀;然后,除去Si片背面的金属电极,形成龙虾眼初步模型;最后,在龙虾眼初步模型各表面蒸镀金属反射层。该方法用于制备龙虾眼镜头。
搜索关键词: 一种 基于 半导体 工艺 平面 龙虾 聚焦 镜头 制备 方法
【主权项】:
一种基于半导体工艺的平面型龙虾眼聚焦镜头的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤(1)、将n型Si片,进行抛光研磨;步骤(2)、利用氧化工艺或气相沉积在Si片上表面形成硬掩膜;步骤(3)、在硬掩膜上利用光刻胶工艺曝光形成具有方形微孔阵列的掩膜;步骤(4)、利用掩膜上的方形微孔对Si片进行湿法刻蚀,在每个方形微孔处对应的Si片上形成带尖端的刻蚀诱导坑;Si片以带有刻蚀诱导坑的一面为正面;步骤(5)、去除硬掩膜,并在Si片背面镀上一层金属电极层,该金属电极层连接电源的正极;步骤(6)、在Si片正面一定距离处放置金属电极板,该金属电极板连接电源的负极,金属电极板与Si片正面之间具有电解液;开启电源,并在Si片背面加以光照,则由刻蚀诱导坑处至Si片背面经光电化学刻蚀形成通孔;步骤(7)、除去Si片背面的金属电极,形成龙虾眼初步模型;步骤(8)、在龙虾眼初步模型各表面蒸镀金属反射层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国航天科技集团公司第五研究院第五一三研究所,未经中国航天科技集团公司第五研究院第五一三研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510181280.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top