[发明专利]晶体管及其形成方法在审
| 申请号： | 201510181550.2 | 申请日： | 2015-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN106158650A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 肖德元 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/36 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种晶体管及其形成方法，其中，所述晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底；形成覆盖所述半导体衬底表面的外延层，所述外延层内具有第一掺杂类型的离子，且所述外延层具有第一表面和与其相对的第二表面；由所述第一表面刻蚀部分厚度的所述外延层，形成沟槽；形成覆盖所述沟槽底部和侧壁的栅介质层；形成位于栅介质层表面的栅电极层，所述栅电极层位于沟槽内且其表面低于沟槽间的外延层表面；形成覆盖所述栅电极层表面的隔离层，所述隔离层位于沟槽内，且其表面与沟槽间的外延层表面齐平；形成隔离层后，去除半导体衬底，形成漏电极层和源电极层，所述漏电极层和源电极层分别位于外延层的两个相对表面。形成的晶体管性能优越，可应用与功率器件。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；形成覆盖所述半导体衬底表面的外延层，所述外延层内具有第一掺杂类型的离子，且所述外延层具有第一表面和与其相对的第二表面；由所述第一表面刻蚀部分厚度的所述外延层，形成沟槽；形成覆盖所述沟槽底部和侧壁的栅介质层；形成位于栅介质层表面的栅电极层，所述栅电极层位于沟槽内且其表面低于沟槽间的外延层表面；形成覆盖所述栅电极层表面的隔离层，所述隔离层位于沟槽内，且其表面与沟槽间的外延层表面齐平；形成隔离层后，去除半导体衬底，形成漏电极层和源电极层，所述漏电极层和源电极层分别位于外延层的两个相对表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
