[发明专利]一种用于电子模块高温封装微纳米铜颗粒填充Sn基焊膏的制备方法

摘要

本发明公开了一种用于电子模块高温封装微纳米铜颗粒填充Sn基焊膏及其制备方法，所述微纳米铜颗粒填充Sn基焊膏按质量比由铜锡微纳米颗粒80~90、分散剂2~8、助焊剂2~8、触变剂2~8制成，采用直接液相多元顺序可控还原方法顺序还原出微纳米铜、微纳米锡，同时实现微纳米铜锡颗粒的高度均匀化混合，将制备得到的混装铜锡微纳米颗粒与分散剂、助焊剂、触变剂等混合，通过混装分散工艺制成焊膏。本发明采用直接液相多元顺序可控还原方法制备微纳米铜颗粒，在含有铜颗粒的反应液中直接二次制备微纳米锡颗粒的方法制备微纳米铜颗粒填充Sn基焊膏，具有方法简单，生产效率高，工艺适用范围广，焊膏铜锡可控，与传统封装工艺匹配的优势。

主权项

用于电子模块高温封装微纳米铜颗粒填充Sn基焊膏的制备方法，微纳米铜颗粒填充Sn基焊膏按质量比由铜锡微纳米颗粒80~90、分散剂2~8、助焊剂2~8、触变剂2~8制成,其特征在于所述方法具体制备步骤如下：步骤一：选用铜的金属盐作为反应盐，将反应盐和络合剂置于反应烧杯中，溶于相应水溶液或者有机溶剂中，配置铜盐溶液；步骤二：将还原剂溶于相应水溶液或者有机溶剂中，配置还原剂溶液；步骤三：将步骤二配置的还原剂溶液加入步骤一配置的铜盐溶液中，还原剂与铜锡量的摩尔比为4~10:1，加入速率为0.1~5.0mL/s，反应完全后静置2~10分钟；步骤四：将锡盐溶于相应水溶液或者有机溶剂中，配置锡盐溶液；步骤五：将步骤四配置的锡盐溶液加入步骤三配置的溶液中，锡盐与铜盐的摩尔比大于1:5，加入速率为0.1m~5.0mL/s，反应完全后静置2~10分钟；步骤六：取出步骤五中的沉淀产物，将所获得的沉淀物以5000~10000r/min的转速离心分离，再用去离子水和有机溶剂清洗三次以上；步骤七：在30℃下真空干燥24小时，获得粒径为0.1~10μm的铜锡混合颗粒；步骤八：将铜锡混合颗粒与分散剂、助焊剂以及触变剂混合；步骤九：将步骤八得到的混合物在有机溶剂体系中混合均匀，使铜锡微纳米颗粒分散均匀，静置挥发有机溶剂，制成微纳米铜颗粒填充Sn基焊膏，其中固体含量80%以上。