[发明专利]金属互连层的金属化工艺

摘要

本申请提供了一种金属互连层的金属化工艺。该金属化工艺包括：步骤S10，在晶片的基底上形成具有开口的介质层；步骤S20，在介质层的表面和开口中设置扩散阻挡层；步骤S30，对具有介质层和扩散阻挡层的晶片进行热处理；步骤S40，真空状态下，在步骤S30形成的晶片的表面上设置铜籽晶层；以及步骤S50，对经过步骤S40处理的结构进行冷却。该金属化工艺，在步骤S30中对设置扩散阻挡层后形成的晶片进行热处理，使得晶片的各层之间的应力得到良好的释放，减小了晶片的曲翘程度，使得晶片的曲率半径较小，可利用静电吸盘对其进行固定完成金属互连层的制作，从而获得较好的金属化结构，避免了晶片的报废，提高了器件的良率。

主权项

1.一种金属互连层的金属化工艺，其特征在于，所述金属化工艺包括：步骤S10，在晶片的基底上形成具有开口的介质层；步骤S20，在所述介质层的表面和所述开口中设置扩散阻挡层；步骤S30，对具有所述介质层和所述扩散阻挡层的晶片进行热处理；步骤S40，在真空状态下，在步骤S30形成的晶片的表面上设置铜籽晶层；以及步骤S50，对经过所述步骤S40处理的结构进行冷却，所述步骤S20与所述步骤S30之间在所述扩散阻挡层上形成氧化层，所述金属化工艺在步骤S30与步骤S40之间还包括：步骤A，对所述氧化层进行反溅射处理，去除所述氧化层；以及步骤B，在去除所述氧化层后剩余的所述扩散阻挡层上再次沉积阻挡层材料，形成补充扩散阻挡层。