[发明专利]一种在铌酸锂晶体上制备周期性波导光栅的方法有效
| 申请号： | 201510183841.5 | 申请日： | 2015-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN104808289B | 公开（公告）日： | 2017-11-21 |
| 发明（设计）人： | 张爱玲;闫广拓 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | G02B6/124 | 分类号： | G02B6/124;G02B6/13;G03F7/00 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300384 天津市西青*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种利用二次钛扩散在铌酸锂基片中制备周期性波导光栅的方法，在铌酸锂中利用二次钛扩散在铌酸锂基片中制备周期性波导光栅，所述二次钛扩散包括两种方式第一种方式为第一次钛扩散在铌酸锂基片中形成折射率周期性变化的光栅结构，第二次钛扩散在铌酸锂基片中形成单模条形波导结构；第二种方式为第一次钛扩散在铌酸锂基片中形成单模条形波导结构，第二次钛扩散在铌酸锂基片中形成折射率周期性变化的光栅结构，经第一次和第二次钛扩散后在铌酸锂基片中形成周期性波导光栅。本发明的优点是该制备方法简单、易于操作，制备的光栅精密度高，光栅周期可根据需要做相应调整，且成本较低，有利于推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铌酸锂 晶体 制备 周期性 波导 光栅 方法 | ||
【主权项】：
一种利用二次钛扩散在铌酸锂基片中制备周期性波导光栅的方法，其特征在于：在铌酸锂中利用二次钛扩散在铌酸锂基片中制备周期性波导光栅，所述二次钛扩散包括两种方式：第一种方式为第一次钛扩散在铌酸锂基片中形成折射率周期性变化的光栅结构，第二次钛扩散在铌酸锂基片中形成单模条形波导结构；第二种方式为第一次钛扩散在铌酸锂基片中形成单模条形波导结构，第二次钛扩散在铌酸锂基片中形成折射率周期性变化的光栅结构，经第一次和第二次钛扩散后在铌酸锂基片中形成周期性波导光栅。
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