[发明专利]一种基于氧化铪/氧化钛叠层结构的低功耗阻变存储器有效
| 申请号： | 201510183916.X | 申请日： | 2015-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN104795492B | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 张楷亮;张宏智;王芳;鉴肖川;赵金石;程文可 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300384 天津市西青*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种基于氧化铪/氧化钛叠层结构的低功耗阻变存储器，由上电极Ni、阻变层氧化铪/氧化钛叠层和下电极TiN构成，氧化铪的成分为HfOx，其中1<x<2，氧化铪介质层的厚度为5‑100nm；氧化钛的成分为TiO2，氧化钛介质层厚度为3‑15nm。本发明的优点是该阻变存储器采用氧化铪/氧化钛叠层结构，有较高的一致性和重复性以及较低的操作电压和操作电流，SET操作电压2V‑3V，RESET操作电压为‑3V，SET操作电流100nA，RESET操作电流20nA，有利于高密度集成以及工业应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氧化 钛叠层 结构 功耗 存储器 | ||
【主权项】：
一种基于氧化铪/氧化钛叠层结构的低功耗阻变存储器，其特征在于：采用Ni/氧化铪/氧化钛/TiN结构顺序，由上电极Ni、阻变层氧化铪/氧化钛叠层和下电极TiN构成，氧化铪的成分为HfOx，其中1<x<2，氧化铪介质层的厚度为5‑100nm；氧化钛的成分为TiO2，氧化钛介质层厚度为3‑15nm。
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