[发明专利]一种可自毁非易失性存储芯片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种可自毁非易失性存储芯片及其制备方法。本发明的可自毁非易失性存储芯片包括：存储芯片和形成在其上的自毁功能层；其中，自毁功能层从下至上依次包括绝缘层、加热层、钝化层和焊盘金属。本发明采用加热层与外部的自毁电路相连接，当自毁电路判断需要执行自毁时，向加热层发出脉冲发火信号，加热层发生电热效应，温度瞬间升高，加热位于其下方的存储芯片，超过存储芯片的内部结构的耐受温度，从而物理破坏存储芯片，使其发生不可逆的结构与功能损坏，实现存储芯片中信息的物理硬件自毁。本发明具有对现有存储芯片改动小、产量高、工艺较简单以及成本低等诸多优势，因而具有灵活的结构和广泛的适用性。

主权项

一种可自毁非易失性存储芯片，其特征在于，所述可自毁非易失性存储芯片包括：存储芯片和形成在其上的自毁功能层；其中，自毁功能层从下至上依次包括绝缘层、加热层、钝化层和焊盘金属；绝缘层形成在存储芯片上，并且在与存储芯片的各个功能引脚相对应的位置设置多个通孔，以露出存储芯片的各个功能引脚；在绝缘层上没有设置通孔的位置形成加热层，加热层包括两端的加热电极和连接两个加热电极的作用区；在加热层上形成钝化层，在钝化层上与存储芯片的各个功能引脚相对应的位置以及与两个加热电极相对应的位置设置有焊盘通孔；在焊盘通孔内分别设置存储芯片焊盘金属和两个自毁焊盘金属，各个存储芯片焊盘金属分别与存储芯片的各个功能引脚相连接，并分别连接至外围电路，两个自毁焊盘金属分别与加热层的两个加热电极相连接，并分别连接至外部的自毁电路。