[发明专利]一种离子液体中低温下直接电解制备晶体硅的方法在审
| 申请号： | 201510185220.0 | 申请日： | 2015-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN104746130A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 张锁江;张军玲;陈仕谋;董坤;张海涛;朗海燕;高洁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院过程工程研究所 |
| 主分类号： | C30B7/12 | 分类号： | C30B7/12;C30B29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种离子液体中低温下直接电解制备晶体硅的方法，用于解决电沉积法制备硅过程中一直存在的低温和晶体结构不能兼顾的问题。本方法重要创新是以低温离子液体为电解液，以液态金属及其合金为阴极，利用离子液体熔点低、不易挥发的特性，以及液态金属电极中硅的溶解-析出平衡，在90～120℃的低温范围内成功制备了立方型的晶体硅。本发明的特点包括操作温度低、离子液体体系稳定、工艺步骤简单易操作；可通过恒流、恒压进行控制、易于实现连续生产，可显著降低硅生产能耗和成本。本发明在半导体材料的制备中具有很好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 液体 低温 直接 电解 制备 晶体 方法 | ||
【主权项】：
一种离子液体中低温下直接电解制备晶体硅的方法，其特征在于：在溶有硅化合物的离子液体体系中，以金属镓和镓、铟、锡合金等液态金属为阴极，惰性电极为阳极，在90℃～120℃下进行恒压和恒流电沉积，电沉积产物经有机物清洗和加热酸洗分离后得到晶体硅单质。
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