[发明专利]半导体集成电路装置

摘要

本发明提供一种能够防止错误操作和/或损坏的半导体集成电路装置。在n^‑型阱区2配置有低端控制电路部81。在n型阱区3配置有高端控制电路部82。n^‑型阱区4包围在n型阱区3的周围。n^‑型阱区2配置在n^‑型阱区4的外侧。p型阱区5包围在n^‑型阱区4的周围。n^‑型阱区4以及p型阱区5构成在n^‑型阱区2和n型阱区3之间的HVJT83。在p型阱区5配置有固定在GND电位的p⁺型接触区43以及第二信号电极45。并且，在p型阱区5，在HVJT83和p⁺型接触区43之间，配置有固定在比GND电位高的L‑VDD的电位的n⁺型接触区44以及第三信号电极46。

主权项

1.一种半导体集成电路装置，其特征在于，具备：第一个第二导电型阱区，设置在第一导电型的半导体基板的一侧的主面侧；第二个第二导电型阱区，在所述半导体基板的一侧的主面侧，与所述第一个第二导电型阱区分离地设置；第一电路部，设置在所述第一个第二导电型阱区，并从以第一电位为基准的第一低电压电源接收比所述第一电位高的第二电位；第二电路部，设置在所述第二个第二导电型阱区，并从以第三电位为基准的第二低电压电源接收比所述第三电位高的第四电位；第一导电型阱区，包围所述第二个第二导电型阱区的周围，并与所述半导体基板接触；第一导电型半导体区，设置在所述第一导电型阱区的内部；第一电极，与所述第一导电型半导体区接触，并接收所述第一电位；第二导电型半导体区，与所述第一导电型半导体区分离并设置在所述第一导电型阱区的比所述第一导电型半导体区更靠近所述第二个第二导电型阱区侧的位置；和第二电极，与所述第二导电型半导体区接触，并接收所述第二电位。