[发明专利]一种散裂中子源用的粒子束影像涂层及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201510185400.9 申请日: 2015-04-17
公开(公告)号: CN104793233B 公开(公告)日: 2018-04-06
发明(设计)人: 梁天骄;纪全;魏少红;曾智蓉;于全芝;张锐强;周斌;彭浩然;张鑫 申请(专利权)人: 东莞中子科学中心;北京矿冶研究总院
主分类号: G01T1/29 分类号: G01T1/29
代理公司: 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司44281 代理人: 郭燕,彭家恩
地址: 523808 广东省东莞*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请公开了一种用于散裂中子源的粒子束影像涂层及其制备方法。本申请的用于散裂中子源靶体的影像涂层,该影像涂层涂覆于被轰击的靶体前窗外表面,影像涂层的主要活性成份为Cr3+掺杂的Al2O3粉体。本申请的制备方法将Cr3+掺杂的Al2O3粉体,以低功率火焰喷涂的方式涂覆到靶体前窗外表面,形成影像涂层。本申请的影像涂层特别针对散裂中子源研制,是继美国散裂中子源之后,世界上第二个使用影像涂层的散裂中子源;本申请的影像涂层发光效率高,能够满足准确判断高能质子束流或离子束流等粒子束轰击时靶体位置的束流分布和强度的使用需求;为我国散裂中子源的进一步研究和发展奠定了基础。
搜索关键词: 一种 中子源 粒子束 影像 涂层 及其 制备 方法
【主权项】:
一种用于散裂中子源的粒子束影像涂层的制备方法,其特征在于:所述影像涂层涂覆于被轰击的靶体前窗外表面,所述影像涂层的主要活性成份为Cr3+掺杂的Al2O3粉体;所述影像涂层中Cr3+的掺杂量为总重量的1%‑5%;所述Al2O3粉体中86%以上为α相粉体;所述制备方法包括制备Cr3+掺杂的Al2O3粉体,然后,采用火焰喷涂的方式将Cr3+掺杂的Al2O3粉体喷涂到靶体前窗外表面,所述火焰喷涂为低功率的火焰喷涂;所述低功率的火焰喷涂中,喷涂燃料的乙炔和氧气的流量比为40%‑60%。
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