[发明专利]绝缘体上硅射频开关器件结构有效
| 申请号： | 201510185685.6 | 申请日： | 2015-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN104766889B | 公开（公告）日： | 2017-12-22 |
| 发明（设计）人： | 刘张李 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种绝缘体上硅射频开关器件结构，包括作为绝缘层的掩埋氧化物层、布置在掩埋氧化物层上的器件区和体区；在器件区中形成有沟道区、源极区和漏极区；而且，沟道区上依次布置有栅极氧化层和栅极多晶硅；而且，在栅极氧化层上形成与栅极多晶硅处于同一层的硅区域和第一重掺杂连接区；其中，体区中硅层的与沟道区连成一体，而且体区中的硅层包括第二重掺杂连接区；栅极多晶硅具有第一掺杂类型；第一重掺杂连接区、第二重掺杂连接区、沟道区和体区中的硅层具有第二掺杂类型；第一重掺杂连接区和第二重掺杂连接区的掺杂浓度大于沟道区和体区中的硅层的掺杂浓度；并且，第一重掺杂连接区和第二重掺杂连接区分别通过通孔连接至金属连接布线。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 射频 开关 器件 结构 | ||
【主权项】：
一种绝缘体上硅射频开关器件结构，其特征在于包括：作为绝缘层的掩埋氧化物层、布置在掩埋氧化物层上的器件区和体区；其中，在器件区中形成有沟道区、源极区和漏极区；而且其中，沟道区上依次布置有栅极氧化层和栅极多晶硅；其中，在栅极氧化层上形成具有第一掺杂类型的栅极多晶硅，与栅极多晶硅处于同一层的硅区域和第一重掺杂连接区；体区中的硅层与沟道区连成一体，而且体区中的硅层包括第二重掺杂连接区；第一重掺杂连接区、第二重掺杂连接区、沟道区和体区中的硅层具有第二掺杂类型；第一重掺杂连接区和第二重掺杂连接区的掺杂浓度大于沟道区和体区中的硅层的掺杂浓度；并且，第一重掺杂连接区和第二重掺杂连接区分别通过通孔连接至金属连接布线。
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