[发明专利]一体式能量采集与存储器件结构及其制备方法

摘要

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种一体式能量采集与存储器件结构及其制备方法，可基于传统半导体工艺的基础上，通过先于衬底的正面表面上制备离子掺杂区和金属连接线，以形成能量采集器；并继续于上述衬底的背面表面上制备由多层金属层构成的堆栈式能量存储器，即基于同一衬底，将能量采集器与能量存储器集成为一体的堆栈式三维结构，以有效的降低半导体器件的体积。

主权项

1.一体式能量采集与存储器件结构，其特征在于，应用于无源自供电传感器系统中，所述一体式能量采集与存储器件结构包括：衬底，具有正面表面及相对于该正面表面的背面表面，且该衬底中制备有第一类型掺杂区和第二类型掺杂区；第一保护层，覆盖在所述衬底的正面表面上；金属连接线，包括第一金属连接线和第二金属连接线，且所述第一金属连接线贯穿所述第一保护层与位于所述第一类型掺杂区中所述衬底的正面表面接触，所述第二金属连接线贯穿所述第一保护层与位于所述第二类型掺杂区中所述衬底的正面表面接触；电容器，设置于所述衬底的背面表面上，且该电容器包括第一电极和第二电极；第二保护层，覆盖所述电容器暴露的表面；金属互联线，包括第一金属互联线和第二金属互联线，且所述第一金属互联线贯穿所述第二保护层与所述第一电极连接，所述第二金属互联线贯穿所述第二保护层与所述第二电极连接；射频天线，设置于所述第一保护层或所述第二保护层暴露的表面上，以采集能量；所述射频天线为非闭合的钩状结构，包括直线部分和钩子部分，其中直线部分的宽度小于钩子部分的宽度，钩子部分的开口面积小于闭合面积；其中，所述金属连接线凸出于所述第一保护层暴露的表面，所述金属互联线凸出于所述第二保护层暴露的表面。