[发明专利]用于硅片的有去边复合背封层结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201510185925.2 | 申请日： | 2015-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN106158768A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 千津井勝己;贺贤汉;洪漪 | 申请（专利权）人： | 上海申和热磁电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 上海顺华专利代理有限责任公司 31203 | 代理人： | 陈淑章 |
| 地址： | 200444 上海市宝*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明用于硅片的有去边复合背封层结构，包括：多晶硅背封层，所述多晶硅背封层覆盖在硅片的背面、背面斜边区及边缘区；二氧化硅背封层，所述二氧化硅背封层覆盖在所述多晶硅背封层的外侧，位于所述硅片的背面。本发明用于硅片的有去边复合背封层结构。硅片的正面斜边仅剩下作为本体材料的单晶硅，且具有一个较高质量的平滑表面，与抛光面几乎没有差异。这样在外延时硅片的正面斜边和抛光面上生长的都为单晶硅层，可以实现无缝衔接，也不会出现分层现象，使得外延中的颗粒污染、边缘层错、角锥问题也得以解决，进而提升制程良率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 硅片 有去边 复合 背封层 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
用于硅片的有去边复合背封层结构，其特征在于，包括：多晶硅背封层，所述多晶硅背封层覆盖在硅片的背面、背面斜边区及边缘区；二氧化硅背封层，所述二氧化硅背封层覆盖在所述多晶硅背封层的外侧，位于所述硅片的背面。
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