[发明专利]用于硅片的无去边LTO背封层结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201510185931.8 | 申请日： | 2015-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN106158769A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 千津井勝己;贺贤汉;洪漪 | 申请（专利权）人： | 上海申和热磁电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海顺华专利代理有限责任公司 31203 | 代理人： | 陈淑章 |
| 地址： | 200444 上海市宝*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明硅片用于硅片的无去边LTO背封层结构，包括：二氧化硅背封层，所述二氧化硅背封层覆盖在硅片的背面、背面斜边区及边缘区。本发明用于硅片的无去边LTO背封层结构。硅片的正面斜边仅剩下作为本体材料的单晶硅，且具有一个较高质量的平滑表面，与抛光面几乎没有差异。这样在外延时硅片的正面斜边上就没有了颗粒污染源，边缘层错、角锥问题也得以解决，进而提升制程良率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 硅片 无去边 lto 背封层 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
硅片用于硅片的无去边LTO背封层结构，其特征在于，包括：二氧化硅背封层，所述二氧化硅背封层覆盖在硅片的背面、背面斜边区及边缘区。
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