[发明专利]选择性外延生长预处理方法有效

专利信息
申请号: 201510187339.1 申请日: 2015-04-20
公开(公告)号: CN104779142B 公开(公告)日: 2018-03-30
发明(设计)人: 刘藩东;陆智勇;曾明;高晶;霍宗亮 申请(专利权)人: 武汉新芯集成电路制造有限公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 代理人: 屈蘅,李时云
地址: 430205 湖北*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提出了一种选择性外延生长预处理方法,在通道孔中形成保护层,之后对暴露出的衬底进行预处理时,保护层可以保护通道孔的表面,避免形成凹凸不平,从而能够保证预处理后通道孔的性能,避免现有技术中存在的问题。
搜索关键词: 选择性 外延 生长 预处理 方法
【主权项】:
一种选择性外延生长预处理方法,其特征在于,包括步骤:提供衬底,所述衬底上形成有多层薄膜层,所述薄膜层内形成有通道孔,所述通道孔暴露出所述衬底;在所述薄膜层、衬底及通道孔的表面形成一层保护层,所述保护层材质为氧化硅;采用回刻蚀去除位于所述薄膜层和衬底表面的保护层,保留位于所述通道孔内的保护层;采用酸液对暴露出的衬底表面进行预处理,同时去除所述保护层;采用选择性外延生长在所述衬底表面形成外延层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉新芯集成电路制造有限公司,未经武汉新芯集成电路制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510187339.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code