[发明专利]相变存储器元件的修复方法及其应用有效
| 申请号： | 201510187413.X | 申请日： | 2015-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN106158014B | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 吴昭谊;柯文昇;李明修 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;G11C29/44 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种相变存储器元件的修复方法，此修复方法包括下述步骤：首先，提供至少一个存储单元，使此存储单元包含具有偏移(shift)电流‑电阻特性函数的相变存储材料。接着，对相变存储材料施加一回复应力(healing stress)，使相变存储材料的偏移电流‑电阻特性函数转换为初始(initial)电流‑电阻特性函数。其中，偏移电流‑电阻特性函数为电流‑电阻特性函数的平移函数(translation of function)。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 元件 修复 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
1.一种相变存储器元件的修复方法，包括：提供至少一存储单元，使该存储单元包含具有一偏移电流‑电阻特性函数的一相变存储材料；对该相变存储材料施加一回复应力，使该相变存储材料的该偏移电流‑电阻特性函数转换为一初始电流‑电阻特性函数；其中，该偏移电流‑电阻特性函数为该初始电流‑电阻特性函数的一平移函数；提供该存储单元的步骤包括：使该相变存储材料具有该初始电流‑电阻特性函数；以及对该存储单元进行设置、重置或上述的任意组合，将一应力电流施加于该相变存储材料，使该相变存储材料的该初始电流‑电阻特性函数转换为该偏移电流‑电阻特性函数；对该相变存储材料施加该回复应力的步骤包括：对该相变存储材料施加回复电流；其中，该应力电流具有一上限值以及一下限值，该回复电流介于二分之一该上限值与五分之一该下限值之间。
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