[发明专利]用于对基板进行等离子切割的方法

摘要

本发明提供了一种用于对基板进行等离子切割的方法。所述方法包括提供具有壁的处理室；提供与所述处理室的壁相邻的等离子源；在所述处理室内提供升降机构；在所述处理室内提供工件支架，所述工件支架具有静电吸盘，所述静电吸盘具有外径，所述静电吸盘的所述外径延伸到所述升降机构；将基板放置到框架上的支撑膜上以形成工件；将所述工件放置到所述处理室内的所述升降机构上；通过所述等离子源产生等离子；使用所产生的等离子来蚀刻所述工件；以及，在所述蚀刻步骤期间，使用所述静电吸盘来静电吸附所述支撑膜的一部分。另外，还提供了一种用于对基板进行等离子切割的方法。

主权项

一种用于对基板进行等离子切割的方法，所述方法包括：提供具有壁的处理室；提供与所述处理室的所述壁相邻的等离子源；在所述处理室内提供工件支架，所述工件支架具有升降机构和静电吸盘，所述静电吸盘具有外径；提供具有顶表面和底表面的所述基板，所述顶表面具有多个器件结构和迹道区域；提供具有顶表面和下侧的框架；将所述基板的底表面放置到所述框架的顶表面上的支撑膜上，以形成工件；将所述工件放置到所述工件支架的所述升降机构上，所述升降机构接触所述工件的所述框架的下侧；通过所述等离子源产生等离子；以及使用所产生的等离子蚀刻所述工件的所述基板的顶表面上的未受到保护的所述迹道区域。