[发明专利]一种高取光率的高压LED芯片结构在审
| 申请号： | 201510188014.5 | 申请日： | 2015-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN104766914A | 公开（公告）日： | 2015-07-08 |
| 发明（设计）人： | 周伟;张小六;刘志强;赵建明;赵国;周汉知 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;四川绿然电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/00;H01L25/075;H01L33/62;H01L33/64 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 李明光 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高取光率的高压LED芯片结构，属于光电子发光器件领域。包括多个微晶粒单元，每个微晶粒单元包括衬底以及衬底上依次生长的N型氮化物层、发光层、P型氮化物层和透明导电层，所述N型氮化物层连接N型电极，所述透明导电层连接P型电极，所述各微晶粒单元之间由金属导电层连接形成串联或/和并联，所述金属导电层底面设有钝化层，其特征在于，所述高压LED芯片表面还设置涂覆层，所述涂覆层的表面是非平整的。本发明通过对表面涂覆层粗化处理形成非平整的结构，有效提高了高压LED芯片的取光效率及出光量，提升了高压LED芯片的性能，且成本低廉，操作简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高取光率 高压 led 芯片 结构 | ||
【主权项】：
一种高取光率的高压LED芯片结构，包括多个微晶粒单元，每个微晶粒单元包括衬底(1)以及衬底(1)上依次生长的N型氮化物层(2)、发光层(3)、P型氮化物层(4)和透明导电层(5)，所述N型氮化物层(2)连接N型电极(8)，所述透明导电层(5)连接P型电极(11)，所述各微晶粒单元之间由金属导电层(9)连接形成串联或/和并联，所述金属导电层(9)底面设有钝化层(10)，其特征在于，所述高压LED芯片表面还设置涂覆层，所述涂覆层的表面是非平整的。
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