[发明专利]绝缘体上硅射频开关器件结构有效
| 申请号： | 201510189276.3 | 申请日： | 2015-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN104752429B | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | 刘张李 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种绝缘体上硅射频开关器件结构，包括作为绝缘层的掩埋氧化物层、以及布置在掩埋氧化物层上的器件区和体区；其中，在器件区中形成有沟道区、源极区和漏极区；而且，沟道区上依次布置有栅极氧化层和栅极多晶硅；体区中的硅层与沟道区连成一体，而且体区中的硅层上形成有与栅极多晶硅连成一体的多晶硅连接区。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 射频 开关 器件 结构 | ||
【主权项】：
一种绝缘体上硅射频开关器件结构，其特征在于包括：作为绝缘层的掩埋氧化物层、以及布置在掩埋氧化物层上的器件区和体区；其中，在器件区中形成有沟道区、源极区和漏极区；而且，沟道区上依次布置有栅极氧化层和栅极多晶硅；体区中的硅层与沟道区连成一体，而且体区中的硅层上形成有与栅极多晶硅连成一体的多晶硅连接区；栅极多晶硅和多晶硅连接区具有第一掺杂类型；沟道区和硅层具有第二掺杂类型，由此在多晶硅连接区和硅层之间形成了反向二极管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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