[发明专利]三轴各向异性磁阻的制造方法有效
| 申请号： | 201510189280.X | 申请日： | 2015-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN104891427B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 张振兴 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 在本发明提供的三轴各向异性磁阻的制造方法中，通过对氮化钽层进行分步刻蚀，避免镍铁层在氮化钽刻蚀过程因发生化学反应而产生底切缺陷，同时能够保证开口尺寸在后续刻蚀时不会扩大，进一步的，第二次刻蚀采用了纯物理过程的离子束刻蚀工艺，能够避免所述镍铁层在第二次刻蚀过程中产生化学反应，从而避免底切缺陷的发生，由此提高了三轴各向异性磁阻的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 各向异性 磁阻 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种三轴各向异性磁阻的制造方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底上依次形成镍铁层、氮化钽层和氮化硅层；对所述氮化硅层进行光刻和刻蚀以形成图形化的硬掩膜层；利用所述图形化的硬掩膜层进行第一次刻蚀以形成刻蚀窗口，所述刻蚀窗口底下保留部分氮化钽层；对第一次刻蚀后的三轴各向异性磁阻进行灰化；以及利用所述图形化的硬掩膜层进行第二次刻蚀以形成沟槽，所述第二次刻蚀仅采用物理方法。
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