[发明专利]一种改善铝锗共晶键合工艺的方法无效
| 申请号： | 201510189305.6 | 申请日： | 2015-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN104891429A | 公开（公告）日： | 2015-09-09 |
| 发明（设计）人： | 黄锦才;刘玮荪 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B81C3/00 | 分类号： | B81C3/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种改善铝锗共晶键合工艺的方法，包括：在CMOS封装晶圆上依次形成用于键合的钛元素层和铝金属层；而且在MEMS晶圆上依次形成用于键合的附加钛元素层、附加铝金属层和锗金属层；此后，使得铝金属层与锗金属层接触，并对铝金属层与锗金属层的接触面加热和加压，从而实现铝锗共晶键合。附加铝金属层的厚度≤ |
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| 搜索关键词： | 一种 改善 铝锗共晶键合 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种改善铝锗共晶键合工艺的方法，其特征在于包括：在CMOS封装晶圆上依次形成用于键合的钛元素层和铝金属层；而且在MEMS晶圆上依次形成用于键合的附加钛元素层、附加铝金属层和锗金属层；此后，使得铝金属层与锗金属层接触，并对铝金属层与锗金属层的接触面加热和加压，从而实现铝锗共晶键合。
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