[发明专利]一种半导体器件刻蚀方法有效
| 申请号： | 201510189307.5 | 申请日： | 2015-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN104733306B | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 肖培 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示了一种半导体器件的刻蚀方法，在半导体衬底上依次沉积导电层、隔离层、氧化层、底部消反射涂层以及光刻胶层，将光刻胶层图案化，刻蚀露出的消反射涂层以及部分氧化层，然后使用无氧气的刻蚀气体继续刻蚀，使得半导体器件所有部位表面沉积聚合物，用氧气清洗掉凹槽或凹孔底部表面的聚合物，按照方法需求继续刻蚀。本发明通过在氧化层蚀刻出凹孔或者凹槽后，在孔底或者槽底预留一层氧化层，然后使用无氧气的刻蚀气体进行轰击，当氧化层以及孔底部分物质被刻蚀后，孔底或者槽底以及半导体器件表面产生保护性地聚合物，可以保护防止刻蚀气体刻穿孔底或者槽底，也防止表面的氧化层产生腐蚀，达到有效地保护半导体器件的表面以及蚀刻孔底或者槽底物质层的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤(S1)：提供一半导体衬底；步骤(S2)：在所述半导体衬底上从下至上依次沉积导电层、隔离层、氧化层、底部消反射涂层以及光刻胶层；步骤(S3)：将所述光刻胶层图案化；步骤(S4)：依次刻蚀露出的底部消反射涂层以及部分氧化层，形成凹槽或者凹孔；步骤(S5)：使用无氧气的刻蚀气体进行刻蚀，直到半导体器件所有部位表面沉积一层聚合物，所述聚合物保护所述半导体器件，防止被刻蚀气体刻蚀，所述无氧气的刻蚀气体主要成分为C5F8、CO、Ar，它们的体积流量比为(8～13)：(150～200)：(400～600)；步骤(S6)：用氧气清洗掉所述凹槽或者凹孔底部表面聚合物；步骤(S7)：按照工艺需求依次刻蚀所述隔离层以及部分导电层；
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510189307.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件的形成方法
- 下一篇：一种快闪存储器隧道绝缘层的制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
