[发明专利]单晶提取方法有效
| 申请号： | 201510189489.6 | 申请日： | 2015-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN105040099B | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 安部吉亮;小松秀央 | 申请（专利权）人： | 环球晶圆日本股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 张雨,李婷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 缩短从直体部形成开始到从熔融液切离晶体的提取时间，在不产生错位的情况下提取单晶，提高成品率。包括第1工序、第2工序和第3工序，所述第1工序形成直体部（C2），所述第2工序在前述第1工序后，在直体部形成的最终工序中，在晶体下端形成向下方突出的下凸形状（C3），所述第3工序将在前述第2工序中形成的前述下凸形状从前述硅熔融液切离，在前述第2工序中，将水平磁场的磁通密度比前述第１工序更低地控制在800～1000高斯的范围，将晶体提取速度比前述第１工序更低地控制在0.2～0.5mm／min的范围，将晶体旋转速度比前述第１工序更低地控制在1～3rpm的范围，将坩埚旋转速度控制在0.5～5rpm的范围。 | ||
| 搜索关键词： | 提取 方法 | ||
【主权项】：
一种单晶提取方法，所述单晶提取方法在坩埚内形成硅熔融液，对所述硅熔融液施加水平磁场，并且根据切克劳斯基单晶生长法从所述硅熔融液提取单晶硅，其特征在于，包括第1工序、第2工序和第3工序，所述第1工序形成直体部，所述第2工序在所述第1工序后，在直体部形成的最终工序中，在晶体下端形成向下方突出的下凸形状，所述第3工序将在所述第2工序中形成的所述下凸形状从所述硅熔融液切离，在前述第1工序与前述第2工序之间不设置停止时间，在所述第2工序中，将晶体提取速度设在0.2～0.5mm／min的范围来培养晶体，将水平磁场的磁通密度比所述第1工序更低地控制在800～1000高斯的范围，将晶体旋转速度比所述第1工序更低地控制在1～4rpm的范围，将坩埚旋转速度控制在0.5～5rpm的范围。
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