[发明专利]局域供碳装置及局域供碳制备晶圆级石墨烯单晶的方法有效
申请号: | 201510189745.1 | 申请日: | 2015-04-20 |
公开(公告)号: | CN104928649B | 公开(公告)日: | 2017-12-05 |
发明(设计)人: | 吴天如;张学富;卢光远;杨超;王浩敏;谢晓明;江绵恒 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/26;C23C16/02;C30B25/02;C30B29/02 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种局域供碳装置及局域供碳制备晶圆级石墨烯单晶的方法,方法包括提供局域供碳装置;制备镍铜合金衬底,将镍铜合金衬底置于局域供碳装置内;将放置有镍铜合金衬底的局域供碳装置置于化学气相沉积系统的腔室中,在局域供碳装置中通入气态碳源,从而在镍铜合金衬底上生长石墨烯单晶。本发明制备得到的石墨烯晶畴结晶性好,制备条件简单、成本低,生长所需条件参数的窗口较宽、重复性好,为晶圆级石墨烯单晶在石墨烯器件等领域的广泛应用打下了基础。所以,本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。 | ||
搜索关键词: | 局域 装置 制备 晶圆级 石墨 烯单晶 方法 | ||
【主权项】:
一种局域供碳装置,其特征在于,所述局域供碳装置包括:第一基片、第二基片及支撑单元;所述第一基片与第二基片上下对应分布;所述支撑单元为垫片,所述垫片依据所述第一基片及所述第二基片的四个顶角间隔分布于所述第一基片与所述第二基片之间,所述支撑单元适于支撑所述第一基片及第二基片,且使所述第一基片及第二基片保持一定的间距;所述第一基片或第二基片上设有通孔,所述通孔位于所述第一基片或所述第二基片的中心。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的