[发明专利]一种采用激光烧铜的产品加工工艺在审
| 申请号： | 201510191597.7 | 申请日： | 2015-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN105118787A | 公开（公告）日： | 2015-12-02 |
| 发明（设计）人： | 温国豪;张子岳;邓月忠 | 申请（专利权）人： | 丽智电子(昆山)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;B23K26/362 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 215316 江苏省扬州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种采用激光烧铜的产品加工工艺，包括如下步骤：（1）蚀刻：对目标铜板进行正面蚀刻；（2）对步骤（1）中蚀刻完成的铜板进行固晶、打线和模压；（3）烧铜：对模压后的产品进行烧铜工艺，实现端电极露铜；（4）切割：对烧铜后的产品进行切割，完成产品的加工；其中，步骤（3）中烧铜工艺中采用的是激光烧铜的干式蚀刻工艺。通过采用激光蚀刻的方式完成模压后的烧铜工序，提高了烧铜精度，减小了产品误差，且不会有废水产生，制程时间也更短。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 激光 产品 加工 工艺 | ||
【主权项】：
一种采用激光烧铜的产品加工工艺，包括如下步骤：（1）蚀刻：对目标铜板进行正面蚀刻；（2）对步骤（1）中蚀刻完成的铜板进行固晶、打线和模压；（3）烧铜：对模压后的产品进行烧铜工艺，实现端电极露铜；（4）切割：对烧铜后的产品进行切割，完成产品的加工；其特征在于：步骤（3）中烧铜工艺中采用的是激光烧铜的干式蚀刻工艺。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于丽智电子(昆山)有限公司，未经丽智电子(昆山)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510191597.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
