[发明专利]封装体切割断线实现堆叠IC不良品降级的方法

摘要

本发明公开了封装体切割断线实现堆叠IC不良品降级的方法，包括封装外形图纸和内部焊线图纸，IC，die，金属线，刀片，划片机，IC具有多层结构，通过测试判定所测的IC内部多层结构中出现的问题层die；确定切割刀的下刀位置并且设定参数，为了切割精度控制要求，使用切割晶圆的划片机，将需要切割的IC放在划片机带有真空吸附的切割盘上；切割完的IC颗粒，可通过划片机里面的清洗吹干，清洗吹干后，测试剩余die，剩余die未出现问题的IC作为降级品使用；上述技术方案是通过物理损伤隔离法将报废IC降级使用，增加收益，减少浪费。

主权项

封装体切割断线实现堆叠IC不良品降级的方法，包括封装外形图纸和内部焊线图纸，IC，die，金属线，刀片，划片机，所述IC具有多层结构，其特征在于：通过以下方法来实现：第一、通过测试判定所测的IC内部多层结构中的出现问题层的die；第二、确定切割刀的下刀位置并且设定参数，方法如下：根据封装外形图纸和内部焊线图纸确定上层die引出金属线位置，用于定位下刀的位置；根据封装外形图纸和内部焊线图纸确定上层封装体表面到第一层die的距离位置，到第二层die表面距离位置，确定切入深度；第三、为了切割精度控制要求，使用切割晶圆的划片机，所述划片机包括机械划片机和激光划片机；所述机械划片机的刀片选择钻石颗粒比较大2000号以下的刀刃厚度小于40um的晶圆切割刀，切割速度小于10mm/s；所述激光划片机切割，激光划片机的切割深度精度均小于10um；第四、将需要切的IC放在划片机带有真空吸附的切割盘上，其可根据材料不同会制作不同的切割盘，根据不同封装的IC准备不同的切割盘；第五、切割完的die颗粒，可通过划片机里面的清洗吹干，清洗吹干后测试剩余die功能，剩余die未出现问题的IC作为降级品使用。