[发明专利]半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 201510192196.3 | 申请日： | 2015-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN106158595B | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;张城龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件的形成方法，包括：提供待刻蚀层，所述待刻蚀层表面形成有初始光刻胶膜；对所述初始光刻胶膜进行光刻工艺，形成具有第一线宽粗糙度的光刻胶层；对所述光刻胶层进行侧壁回流修复处理，侧壁回流修复处理后的光刻胶层具有小于第一线宽粗糙度的第二线宽粗糙度；在所述侧壁回流修复处理之后，在所述光刻胶层顶部表面和侧壁表面形成固化层；在所述固化层上形成尺寸修复层。本发明减小刻蚀待刻蚀层的掩膜图形的线宽粗糙度，且使掩膜图形的尺寸与预设目标尺寸一致，提高了形成的半导体器件的性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀层，所述待刻蚀层表面形成有初始光刻胶膜；对所述初始光刻胶膜进行光刻工艺，形成具有第一线宽粗糙度的光刻胶层；对所述光刻胶层进行侧壁回流修复处理，侧壁回流修复处理后的光刻胶层具有小于第一线宽粗糙度的第二线宽粗糙度；在所述侧壁回流修复处理之后，在所述光刻胶层顶部表面和侧壁表面形成固化层；在所述固化层表面形成硅层，所述硅层的低频线宽粗糙度小于固化层的低频线宽粗糙度；在所述硅层上形成尺寸修复层，所述尺寸修复层的低频线宽粗糙度小于所述硅层的低频线宽粗糙度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
