[发明专利]晶圆聚焦补偿的曝光方法与装置有效
| 申请号： | 201510192269.9 | 申请日： | 2015-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN106154763B | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | 解立涛;张宏伟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/207 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 赵囡囡,梁文惠 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆聚焦补偿的曝光方法与装置。该晶圆聚焦补偿的曝光方法包括步骤S1，获取晶圆中各芯片的中心距晶圆圆心的距离Rn，n为自然数；步骤S2，根据聚焦补偿公式Fn＝A×Rn计算各芯片的聚焦补偿值Fn，A为补偿系数；以及步骤S3，根据各聚焦补偿值对各芯片进行曝光。该曝光方法对各个芯片的聚焦补偿值Fn进行计算，根据计算出来的Fn，将各芯片都置于曝光单元的最佳焦距的位置，进而使得最终各芯片上形成的图形效果较好，避免了对晶圆边缘所有的芯片都按照同一个聚焦补偿值来进行曝光，进而避免了有些芯片的图形出现缺陷的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 聚焦 补偿 曝光 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种晶圆聚焦补偿的曝光方法，其特征在于，所述曝光方法包括：步骤S1，获取晶圆中各芯片的中心距晶圆圆心的距离Rn，n为自然数；步骤S2，根据聚焦补偿公式Fn＝A×Rn计算各所述芯片的聚焦补偿值Fn，所述A为补偿系数；以及步骤S3，根据各所述聚焦补偿值对各所述芯片进行曝光。
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