[发明专利]一种铜互连结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201510192572.9 | 申请日： | 2015-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN106158733A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 高建峰;赵超;李俊峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 党丽;江怀勤 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铜互连结构的制造方法，包括：提供衬底，衬底上形成有介质层；在介质层中形成通孔；进行氮化钽层的沉积；进行反溅射工艺，同时进行钽层的淀积；填充金属铜。该方法减少或消除通孔底部的氮化钽层，进而减小互连结构的电阻率，进一步提高互连结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 互连 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种铜互连结构的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供衬底，衬底上形成有介质层；在介质层中形成通孔；进行氮化钽层的沉积；进行反溅射工艺，同时，进行钽层的淀积；填充金属铜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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