[发明专利]一种金纳米棒上快速修饰HS-DNA的方法有效
| 申请号： | 201510193295.3 | 申请日： | 2015-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN104759620A | 公开（公告）日： | 2015-07-08 |
| 发明（设计）人： | 杨朝勇;李久兴;祝冰青;朱志 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | B22F1/02 | 分类号： | B22F1/02;B22F9/24;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭 |
| 地址： | 361000 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在金纳米棒上快速修饰HS-DNA的方法。所述方法包括如下步骤：(1)在CTAB存在下，通过种子生长的方法合成CTAB双分子层稳定的金纳米棒；(2)通过离心再用mPEG-SH和Tween20混合液重悬的方法取代金纳米棒表面的CTAB分子，在金纳米棒上修饰上mPEG-SH和Tween20；(3)向修饰有mPEG-SH和Tween20的金纳米棒溶液中加入HS-DNA和高浓度的酸或盐，20-40℃老化1小时；(4)通过离心再用缓冲液重悬去除游离的HS-DNA就能够获得修饰有HS-DNA的金纳米棒。该方法快速、高效、经济，使金纳米棒具有很高的稳定性，避免了缓慢增加盐浓度的老化过程，使金纳米棒上修饰HS-DNA的修饰步骤简化、修饰时间缩短。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 快速 修饰 hs dna 方法 | ||
【主权项】：
一种在金纳米棒上快速修饰HS‑DNA的方法，包括如下步骤：(1)在CTAB存在下，通过种子生长的方法合成CTAB双分子层的金纳米棒；(2)通过离心再用mPEG‑SH和具有聚乙二醇结构的非离子型表面活性剂混合液重悬的方法取代金纳米棒表面的CTAB分子，在金纳米棒上修饰上mPEG‑SH和表面活性剂；其中，mPEG‑SH：表面活性剂之间的比例范围为1‑25％(w/w)；(3)向修饰有mPEG‑SH和表面活性剂的金纳米棒溶液中加入HS‑DNA和高浓度的酸或盐，20‑40℃老化0.5‑5小时；所述的高浓度的酸或盐浓度范围为100‑1000mM；(4)通过离心再用缓冲液重悬去除游离的HS‑DNA获得修饰有HS‑DNA的金纳米棒。
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