[发明专利]具有TaAlCN层的金属栅极堆叠件有效
| 申请号： | 201510193414.5 | 申请日： | 2015-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN106158932B | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 张简旭珂;王廷君;郑志成;刘继文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种集成电路器件包括：半导体衬底；以及设置在半导体衬底上方的栅极堆叠件。栅极堆叠件还包括设置在半导体衬底上方的栅极介电层；设置在栅极介电层上方的多功能阻挡/润湿层，其中，多功能阻挡/润湿层包括碳氮化铝钽(TaAlCN)；设置在多功能阻挡/润湿层上方的功函层；和设置在功函层上方的导电层。本发明涉及具有TaAlCN层的金属栅极堆叠件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 taalcn 金属 栅极 堆叠 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路器件，包括：半导体衬底；以及栅极堆叠件，设置在所述半导体衬底上方，其中，所述栅极堆叠件包括：栅极介电层，设置在所述半导体衬底上方；多功能阻挡/润湿层，设置在所述栅极介电层上方，其中，所述多功能阻挡/润湿层包括碳氮化铝钽TaAlCN，所述多功能阻挡/润湿层包括具有不同的氮原子浓度的多个TaAlCN层，所述多功能阻挡/润湿层包括底部TaAlCN层和顶部TaAlCN层，其中，所述底部TaAlCN层比所述顶部TaAlCN层具有更高的氮原子浓度；功函层，设置在所述多功能阻挡/润湿层上方；和导电层，设置在所述功函层上方。
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