[发明专利]银金合金接合线有效
| 申请号： | 201510193619.3 | 申请日： | 2015-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN106158675B | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 安原和彦;前田菜那子;冈崎纯一;千叶淳;陈炜;安德优希 | 申请（专利权）人： | 田中电子工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 熊传芳;苏卉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种银金合金接合线，其即使是高纯度的银金合金接合线，相较于目前为止相同组成成分的银金合金，对于在树脂密封情况下的热冲击性发挥较优异的效果。另外，本发明的目的是提供一种卷绕于滚动条上的银金合金接合线的退绕性良好的银金合金接合线。本发明的银金合金接合线，其特征为：在由银金合金所形成的接合线中，以质量百分比来说，含有10％以上30％以下的金(Au)、含有30ppm以上90ppm以下的钙(Ca)，剩余部分由上述元素以外的金属元素的纯度99.99％以上的银(Ag)所形成的合金，在该合金的表层形成氧(O)和钙(Ca)的浓化层，且在该表层的正下层形成金浓化层。 | ||
| 搜索关键词： | 合金 接合 | ||
【主权项】：
1.一种银金合金接合线，其特征为：在由银金合金所形成的接合线中，在质量百分比之下，所述合金含有15％以上30％以下的金(Au)，含有30ppm以上90ppm以下的钙(Ca)以及剩余部分由上述元素以外的金属元素纯度99.99％以上的银(Ag)所形成，在该合金的表层形成有氧和钙(Ca)的浓化层，且在该表层的正下层形成有金浓化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
