[发明专利]半导体电阻结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201510194672.5 | 申请日： | 2015-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN104733446B | 公开（公告）日： | 2017-12-26 |
| 发明（设计）人： | 陈洪雷;闻永祥;王昊;苏兰娟 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 张振军 |
| 地址： | 310012 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体电阻结构及其形成方法，所述结构包括基底；第一掺杂类型的阱区，形成在所述基底内；栅介质层，至少部分位于所述阱区上；栅极，至少部分位于所述栅介质层上；第二掺杂类型的电阻体，形成在所述阱区内，所述电阻体的至少一部分位于所述栅极下方并由所述栅介质层隔开，所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反。本发明的半导体电阻结构结合了单晶体电阻和多晶体电阻的优点，并规避了二者的缺点，而且还具有电阻值可调的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 电阻 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体电阻结构，其特征在于，包括：基底；第一掺杂类型的阱区，形成在所述基底内；栅介质层，至少部分位于所述阱区上；栅极，至少部分位于所述栅介质层上；第二掺杂类型的电阻体，形成在所述阱区内，所述电阻体的至少一部分位于所述栅极下方并由所述栅介质层隔开，所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反，其中所述电阻体的两端具有第二掺杂类型的加浓区，所述加浓区的掺杂浓度大于所述电阻体的掺杂浓度。
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