[发明专利]使用硅的芯片级热耗散有效
| 申请号： | 201510195336.2 | 申请日： | 2015-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN105023890B | 公开（公告）日： | 2018-01-23 |
| 发明（设计）人： | V.奥加涅相 | 申请（专利权）人： | 奥普蒂兹公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 方世栋,张懿 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，所述半导体器件包括半导体芯片，所述半导体芯片具有具有相对的第一和第二表面的第一硅衬底、被形成在所述第一表面处或所述第一表面中的半导体器件、被形成在所述第一表面处的多个第一接触焊盘、其被电耦合至所述半导体器件，所述第二表面上的导热材料层、以及部分贯通所述导热材料层而被形成的多个第一通孔。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 芯片级 耗散 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：半导体芯片，包括：具有相对的第一和第二表面的第一硅衬底，被形成在所述第一表面处或所述第一表面中的半导体器件，被形成在所述第一表面处的多个第一接触焊盘，其被电耦合至所述半导体器件，所述第二表面上的第一层导热材料，以及部分贯通所述第一层导热材料而被形成的多个第一通孔；散热器，其包括：具有相对的第一和第二表面的第二硅衬底，被形成至所述第一表面中的多个第二通孔，所述第一表面限定所述第二通孔之间的所述第二硅衬底的第一片，所述第二通孔中的第二层导热材料，其中，所述第一硅衬底的所述第二表面被安装于所述第二硅衬底的所述第一表面，被形成至所述第二硅衬底的所述第二表面内的多个第三通孔，所述第三通孔中的第三层导热材料，以及多个贯通孔，每个贯通孔在所述第二硅衬底的所述第一和第二表面之间延伸并且每个贯通孔被内衬或填充有导热材料，其中，所述贯通孔中的每个与所述第三通孔中的一个对齐。
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