[发明专利]一种提高栅控晶体管线性度的方法及其结构有效
| 申请号： | 201510196111.9 | 申请日： | 2015-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN104900529B | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 王元刚;冯志红;吕元杰;敦少博;徐鹏;宋旭波;周幸叶;谭鑫;顾国栋;郭红雨;蔡树军 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/10;H01L29/778 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所13120 | 代理人： | 陆林生 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高栅控晶体管线性度的方法及其结构，涉及半导体器件技术领域；通过采用离子注入或挖槽技术实现沟道层上栅电极正下方区域沿栅电极的宽度方向沟道浓度单调递增，有效增加了栅控晶体管的线性度。本发明结构应用于栅控晶体管，相比于前馈法和功率回退法，简化了电路结构和体积，提高了栅控晶体管的输出功率和效率，方法简便，可靠性高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 晶体管 线性 方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
一种提高栅控晶体管线性度的方法，其特征在于沟道层（4）上栅电极（2）正下方区域沿栅电极（2）的宽度方向沟道浓度单调递增，所述宽度方向是指与源电极（1）到漏电极（3）之间的连线垂直的方向。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
