[发明专利]一种改善漏电流的发光二极管制备方法

摘要

本发明提出了一种发光二极管的制备方法，在N型层与浅量子阱层沉积步骤之间插入一杂质去除步骤，利用陡变方式增加杂质管路的载气流量，充分快速吹扫该管路的残留杂质，避免残留杂质进入浅量子阱层影响该层的晶体结构，降低对发光二极管的反向漏电流的影响，改善LED结构的可靠性和生产的良品率。

主权项

1.一种改善漏电流的发光二极管制备方法，其包括：提供一衬底；通入金属源，沉积缓冲层于所述衬底之上；通入金属源和杂质源，沉积N型层于所述缓冲层之上；通入金属源和杂质源或金属源，沉积浅量子阱层于所述N型层之上；继续通入金属源和杂质源或金属源，沉积量子阱层于所述浅量子阱层之上；最后通入金属源、P型杂质源，沉积P型层于所述量子阱层之上，形成发光二极管结构；其特征在于：所述浅量子阱层沉积之前还包含一杂质去除步骤，所述杂质去除步骤具体为：停止通入金属源及杂质，通入氮气和氨源，在第一时间段内通过陡变方式调节杂质管路载气流量为浅量子阱层正常生长时杂质设定流量的10~25倍，利用高于正常生长时杂质设定流量的载气吹扫杂质管路，去除N型层生长步骤中残留的杂质，避免造成残留的杂质进入浅量子阱层；然后再在第二时间段内调节杂质管路载气流量到浅量子阱层正常生长时设定流量，直至呈稳定状态，随后打开金属源，继续沉积浅量子阱层。