[发明专利]半导体封装结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种半导体封装结构及其制作方法，该封装结构包括基底，至少一导电焊垫、元件区、第一孔洞、第二孔洞、介质层、绝缘层、金属布线层及保护层。该封装结构在导电焊垫上方的第一孔洞底部设置第二孔洞，将导电焊垫打穿，形成了通孔结构；且在第二孔洞的侧壁及金属布线层外设置有金属层，形成了包覆导电焊垫与金属布线层的包覆结构。通孔结构可以使导电焊垫上的应力得到释放，使导电焊垫与金属布线层和介质层的交点的尖角位置处的应力不至于过大，进而避免导致导电焊垫损坏或者电性失效的问题；包覆结构可以防止导电焊垫被外界腐蚀而影响良率及可靠性。

主权项

1.一种半导体封装结构，包括：基底(1)，所述基底具有功能面(100a)及与其相对的非功能面(100b)，所述功能面具有至少一元件区(102)及所述元件区周边的若干导电焊垫(101)，所述导电焊垫通过内部金属布线连接所述元件区；其特征在于：所述非功能面上形成有对应所述导电焊垫的第一孔洞(2)，所述第一孔洞自所述基底的非功能面向功能面延伸，且其底部暴露所述导电焊垫，所述第一孔洞的底部形成有穿透所述导电焊垫中部的第二孔洞(5)，所述第一孔洞内依次铺设有绝缘层(3)、金属布线层(4)和防护层，所述金属布线层一端延伸至所述导电焊垫的上表面，另一端延伸至所述基底的非功能面上，所述防护层一端延伸至所述第二孔洞底部，覆盖住所述导电焊垫的侧壁，另一端延伸至所述基底的非功能面上；所述防护层主要由一层保护层(7)和一层金属层(6)组成，所述金属层位于所述金属布线层与所述保护层之间，所述金属层和所述保护层均一端延伸至所述第二孔洞底部，覆盖住所述导电焊垫的侧壁，另一端延伸至所述基底的非功能面上；或者所述防护层主要由一层保护层(7)和一层金属层(6)组成，所述金属层一端延伸至所述第二孔洞底部，覆盖住所述导电焊垫的侧壁，另一端延伸至所述基底的非功能面上；所述保护层覆盖于所述基底的非功能面上的金属层及所述第一孔洞的开口上。