[发明专利]利用溶剂处理钙钛矿晶体薄膜的方法及其应用在审
| 申请号： | 201510198053.3 | 申请日： | 2015-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN104900808A | 公开（公告）日： | 2015-09-09 |
| 发明（设计）人： | 方俊锋;王雪艳;李晓冬;酒同钢 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 刘诚午 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用溶剂处理钙钛矿晶体薄膜的方法，将CH3NH3I、PbCl2和溶剂A混合得到前驱体溶液，涂布后再去除溶剂A形成钙钛矿晶体薄膜，再与溶剂B接触，得到处理后的钙钛矿晶体薄膜；所述的溶剂B为正丁醇或异丙醇。本发明还公开了将上述经溶剂处理后的钙钛矿晶体薄膜作为钙钛矿晶体薄膜层的钙钛矿太阳能电池。将该方法处理后的钙钛矿晶体薄膜应用于钙钛矿太阳能电池时，可以显著提高其电池效率，实现低成本的高效钙钛矿太阳能电池的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 溶剂 处理 钙钛矿 晶体 薄膜 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种利用溶剂处理钙钛矿晶体薄膜的方法，其特征在于，将CH3NH3I、PbCl2和溶剂A混合得到前驱体溶液，涂布后再去除溶剂A形成钙钛矿晶体薄膜，再与溶剂B接触，得到处理后的钙钛矿晶体薄膜；所述的溶剂B为正丁醇或异丙醇。
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