[发明专利]一种使用激光直写制备微电路的方法在审
| 申请号： | 201510198249.2 | 申请日： | 2015-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN104846348A | 公开（公告）日： | 2015-08-19 |
| 发明（设计）人： | 张建明;刘前 | 申请（专利权）人： | 苏州华维纳纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/58 | 分类号： | C23C14/58 |
| 代理公司： | 苏州慧通知识产权代理事务所(普通合伙) 32239 | 代理人： | 丁秀华 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种使用激光直写制备微电路的方法，其中所使用的材料为无机相变材料GST，GBST，GSST。该方法包括以下步骤：步骤1)：选取基底，对其进行清洗和干燥处理；步骤2)：采用物理气相沉积工艺，生长一层非晶态GST，GBST，GSST薄膜；步骤3)：使用激光直写对需要导电的路径进行直写加工，使刻写过的部分从非晶态薄膜转化为晶态，实现所设计的电路导通。由该方法所获得的微电路特征尺寸在100nm-5um，并且该方法工艺简单可控、产品尺寸形貌均一、成本低廉，修改设计灵活。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 使用 激光 制备 电路 方法 | ||
【主权项】：
一种使用激光直写制备微电路的方法，该方法包括以下步骤：步骤1)：选取基底，对其进行清洗和干燥处理；步骤2)：对基底采用物理气相沉积工艺，生长一层非晶态无机相变材料薄膜；步骤3)：先使用激光在所生长的非晶态无机相变材料薄膜上直写出所设计图案，并通过激光照射使刻写部分的薄膜由非晶态转变为晶态。
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