[发明专利]一种反铁磁钉扎各向异性磁电阻（AMR）传感器在审
| 申请号： | 201510198324.5 | 申请日： | 2015-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN104900801A | 公开（公告）日： | 2015-09-09 |
| 发明（设计）人： | 李大来;黄正伟;李斌;蒋乐跃 | 申请（专利权）人： | 美新半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 庞聪雅 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种反铁磁钉扎各向异性磁电阻(AMR)传感器，其结构包括：位于底层的衬底层；位于衬底层上方的缓冲层；位于顶层的覆盖层；位于所述缓冲层和覆盖层之间的中间层，所述中间层包括铁磁层和反铁磁层。铁磁层受到外界大磁场干扰之后，磁矩随机取向。本发明利用反铁磁层和铁磁层之间的交换偏置作用，使得铁磁层受到大磁场干扰之后，磁矩一致取向，从而实现重置磁矩方向(SET)功能。在此基础上本发明亦提出了一种差分推挽式磁场传感器电桥。本发明涉及的反铁磁钉扎AMR传感器结构简单，成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 反铁磁钉扎 各向异性 磁电 amr 传感器 | ||
【主权项】：
一种反铁磁钉扎各向异性磁电阻(AMR)传感器，其特征在于：其包括：位于底层的衬底层；位于衬底层上方的缓冲层；位于顶层的覆盖层；位于所述缓冲层和覆盖层之间的中间层，所述中间层包括铁磁层和反铁磁层，通过反铁磁层和铁磁层之间的交换偏置作用实现重新排列铁磁层磁矩，即SET功能。
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