[发明专利]一种太赫兹波段半导体材料的表面增强拉曼散射传感探针有效

专利信息
申请号: 201510198520.2 申请日: 2015-04-24
公开(公告)号: CN104749163B 公开(公告)日: 2017-11-03
发明(设计)人: 任广军;刘迎;谭天波;汪亚奇 申请(专利权)人: 天津理工大学
主分类号: G01N21/65 分类号: G01N21/65
代理公司: 天津佳盟知识产权代理有限公司12002 代理人: 侯力
地址: 300384 天津市西青*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 一种太赫兹波段半导体材料的表面增强拉曼散射传感探针,由单孔光纤和置于光纤腔内的半导体微纳粒子组成,单孔光纤材料为二氧化硅,单孔光纤长为3微米,外径为3微米,内径为2.8微米;半导体微纳粒子布满单孔光纤的整个内腔,半导体微纳粒子材料为GaAs或InAs,半导体微纳粒子直径为0.6微米;其制备方法,首先制备单孔光纤;然后将半导体微纳量级的粒子注入到单孔光纤中。本发明的优点是该制备方法操作简单、可重复性好、成本低廉并且环境友好;制备的探针具有表面增强型拉曼散射光学信号和具有载体性质的单孔光纤,易于实现光学探针的多功能,在药物装载运输,生物传感及探测等应用领域具有重要的应用价值。
搜索关键词: 一种 赫兹 波段 半导体材料 表面 增强 散射 传感 探针
【主权项】:
一种太赫兹波段半导体材料的表面增强拉曼散射传感探针,其特征在于:由单孔光纤和置于光纤腔内的半导体微纳粒子组成,单孔光纤材料为二氧化硅,单孔光纤长为3微米,外径为3微米,内径为2.8微米;半导体微纳粒子布满单孔光纤的整个内腔,半导体微纳粒子材料为GaAs或InAs,半导体微纳粒子直径为0.6微米。
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