[发明专利]影像感应器有效
申请号: | 201510198679.4 | 申请日: | 2015-04-24 |
公开(公告)号: | CN106158889B | 公开(公告)日: | 2019-07-09 |
发明(设计)人: | 王伟吉;吴志忠;邱品涵;林国隆 | 申请(专利权)人: | 力晶科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种影像感应器,包含有一半导体基底,其具有一主表面;至少一感光结构,设于该主表面;一内层介电层,覆盖于该感光结构上;以及一介电层堆叠结构,介于该内层介电层与该感光结构之间,其中该介电层堆叠结构包括一硅化金属阻挡层,具有第一折射率n1、一保护层,具有第二折射率n2,以及一接触蚀刻停止层,具有第三折射率n3,第二折射率n2小于或等于第三折射率n3,第三折射率n3与第二折射率n2之间的差小于或等于0.25,第三折射率n3与第一折射率n1之间的差小于或等于0.7。 | ||
搜索关键词: | 影像 感应器 | ||
【主权项】:
1.一种影像感应器,包含有:半导体基底,其具有一主表面;至少一感光结构,设于该主表面;内层介电层,覆盖于该感光结构上;以及介电层堆叠结构,介于该内层介电层与该感光结构之间,其中该介电层堆叠结构由下至上依序包括由二氧化硅所构成的硅化金属阻挡层、由氮化硅所构成的保护层以及由氮氧化硅所构成的接触蚀刻停止层,其中,该内层介电层与该接触蚀刻停止层直接接触,其中该硅化金属阻挡层具有第一折射率n1,该接触蚀刻停止层具有第二折射率n2,该保护层具有第三折射率n3,且该第二折射率n2小于或等于该第三折射率n3。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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