[发明专利]半导体器件制作方法、半导体器件及电子装置有效
| 申请号： | 201510198772.5 | 申请日： | 2015-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN106158735B | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 李广宁;沈哲敏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 汪洋;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制作方法，其包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成用于形成硅通孔的凹槽；形成覆盖所述凹槽侧壁和底部用于吸收膨胀应力的保护层；在所述保护层上形成至少一层过渡层；用金属铜填充所述凹槽，其中，所述过渡层采用金属材料，且所述过渡层的热膨胀系数小于铜的热膨胀系数。本发明提出的半导体器件的制作方法，在形成硅通孔时在硅和铜之间加入热膨胀系数较小的金属材料来形成Si/Cu之间的过渡层来减小两种材料之间的热不匹配性，经过过渡层到金属铜层，材料的热膨胀系数逐渐增大，从而可有效降低各层材料之间的热不匹配性，进而避免出现分层或铜层凸起问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括下述步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成用于形成硅通孔的凹槽；形成覆盖所述凹槽侧壁和底部用于吸收膨胀应力的保护层；在所述保护层上形成至少一层过渡层来减少硅铜热不匹配性带来的内应力；用金属铜填充所述凹槽，其中，所述过渡层采用金属材料，且所述过渡层的热膨胀系数小于铜的热膨胀系数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
