[发明专利]一种鳍式场效应晶体管的制备方法

摘要

本发明提供了一种鳍式场效应晶体管的制备方法，在一半导体衬底上进行，包括形成栅极、源极和漏极，栅极的形成过程包括：采用硬掩膜层为掩膜，在半导体衬底上形成硅鳍，并保留剩余的硬掩膜层；在半导体衬底上形成应力层，应力层包覆住硅鳍和硬掩膜层；在硅鳍两侧的应力层的侧壁表面形成侧墙；以侧墙和硬掩膜层为掩膜，刻蚀掉应力层暴露的顶部和暴露的底部，剩余的应力层的顶部高于侧墙的底部，从而形成L型应力层；去除侧墙；在半导体衬底上形成栅极。使得相邻硅鳍两侧的应力层不接触，从而可以对每个硅鳍单独控制，并可以制备出底部宽度不同的L型应力层，从而满足不同硅鳍结构的不同需要，进而提高沟道载流子迁移率，提高器件的性能。

主权项

一种鳍式场效应晶体管的制备方法，在一半导体衬底上进行，包括形成栅极、源极和漏极，其特征在于，所述栅极的形成过程包括以下步骤：步骤01：采用硬掩膜层为掩膜，在所述半导体衬底上形成硅鳍，并保留剩余的所述硬掩膜层；步骤02：在完成所述步骤01的所述半导体衬底上形成应力层，所述应力层包覆住所述硅鳍和所述硬掩膜层；步骤03：在所述硅鳍两侧的所述应力层的侧壁表面形成侧墙；步骤04：以所述侧墙和所述硬掩膜层为掩膜，刻蚀掉所述应力层暴露的顶部和暴露的底部，剩余的所述应力层的顶部高于所述侧墙的底部，从而形成L型应力层；所述L型应力层两侧暴露出所述半导体衬底表面；步骤05：去除所述侧墙；步骤06：在完成所述步骤05的所述半导体衬底上形成栅极。