[发明专利]一种连接孔的形成方法在审
| 申请号： | 201510198903.X | 申请日： | 2015-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN104779198A | 公开（公告）日： | 2015-07-15 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇;黄秋铭 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种连接孔的形成方法，包括：在半导体器件衬底上沉积介质层；在介质层上沉积覆盖层；经光刻和刻蚀工艺，在覆盖层和介质层中刻蚀出连接孔；采用湿法清洗工艺去除刻蚀残留物，同时，覆盖层中连接孔的侧壁被刻蚀，从而使覆盖层中连接孔的开口增大；对覆盖层的刻蚀速率大于对介质层的刻蚀速率；向覆盖层和介质层中的连接孔中沉积刻蚀阻挡层，然后填充金属；进行平坦化工艺，将覆盖层、及覆盖层中的填充金属去除。因此，不仅确保了介质层中连接孔的尺寸不发生改变，还扩大了后续金属填充工艺窗口，提高了金属填充能力，克服了现有的金属填充困难的弊端。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 连接 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种连接孔的形成方法，其特征在于，包括：步骤01：在半导体器件衬底上沉积介质层；步骤02：在所述介质层上沉积覆盖层；步骤03：经光刻和刻蚀工艺，在所述覆盖层和所述介质层中刻蚀出连接孔；步骤04：采用湿法清洗工艺去除刻蚀残留物，同时，所述覆盖层中连接孔的侧壁被刻蚀，从而使所述覆盖层中连接孔的开口增大；其中，对所述覆盖层的刻蚀速率大于对所述介质层的刻蚀速率；步骤05：向所述覆盖层和所述介质层中的连接孔中沉积刻蚀阻挡层，然后填充金属；步骤06：进行平坦化工艺，将所述覆盖层、及所述覆盖层中的填充金属去除。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510198903.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种芯片封装结构及其制造方法
- 下一篇：切割后玻璃面板搬送装置与搬送方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
