[发明专利]磁场电流传感器、传感器系统和方法有效

专利信息
申请号: 201510198911.4 申请日: 2015-04-24
公开(公告)号: CN105021864B 公开(公告)日: 2018-10-09
发明(设计)人: U.奥瑟莱希纳 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: G01R19/00 分类号: G01R19/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 王岳;徐红燕
地址: 德国瑙伊比*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及磁场电流传感器、传感器系统和方法。一种用于从由导体中的电流感应的磁场感测导体中的电流的电流传感器系统,包括:多个(N个)磁阻(MR)传感器,在与导体的中心同中心的圆上布置且与彼此分隔开360度/N,其中每一个MR传感器具有敏感性平面且响应于磁场在敏感性平面中的投影,多个MR传感器的敏感性平面是平行的,以及其中多个MR传感器相对于导体布置,使得磁场具有平行于敏感性平面的非零分量;至少一个磁元件,被布置为提供在多个MR传感器上的偏置磁场;以及耦合到多个MR传感器的电路,用来通过组合来自多个MR传感器中的每一个的信号来确定导体中的电流。
搜索关键词: 导体 磁场 磁场电流传感器 传感器系统 平行 电流传感器系统 电流感应 偏置磁场 传感器 磁元件 平面的 同中心 耦合到 磁阻 非零 感测 分隔 投影 电路 响应
【主权项】:
1.一种用于从由导体中的电流感应的磁场感测导体中的电流的电流传感器系统,包括:多个磁阻MR传感器,所述多个磁阻MR传感器布置在与导体的中心同中心的圆上且与彼此分隔开360度/N,其中N为所述多个磁阻MR传感器的数目,其中每一个磁阻MR传感器具有敏感性平面且响应于磁场在敏感性平面中的投影,多个磁阻MR传感器的敏感性平面是平行的,以及其中多个磁阻MR传感器相对于导体布置,使得磁场具有平行于敏感性平面的非零分量;其中多个磁阻MR传感器被布置在支撑结构上;至少一个磁元件,被布置为提供在多个磁阻MR传感器上的偏置磁场;其中至少一个磁元件包括N个磁元件,并且多个磁阻MR传感器中的每一个均与N个磁元件之一相关联;以及耦合到多个磁阻MR传感器的电路,用来通过组合来自多个磁阻MR传感器中的每一个的信号来确定导体中的电流的至少一个参数。
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